第102、103章 EVU联盟（为阁昏晓及订阅加更） (第3/7页)

成了3纳米制程芯片的设计。

    现在距离极紫外光刻机制造，以及3纳米制程芯片的生产，只剩下最后一个问题——极紫外光刀！

    何星舟来到了光电研究所，跟严蕊院士的团队一起研究。

    激光研究室里，严蕊正在讲述他们遇到的问题：“我们现在是采用气体喷射的方式用激光轰击靶材料产生等离子体，等离子体发euv辐射，euv辐射经过由周期性多层薄膜反射镜组成的聚焦系统入射到反射掩模上.射出的euv光波再通过反射镜组成的投影系统，将反射掩模上的集成电路的几何图形成像到硅片上的光刻胶中，从而形成集成电路所需要的光刻图形。”

    “理论上，这个过程没有问题。”何星舟点点头。

    “但问题在于如何在提高euv光源瓦数的同时，降低等离子气氛中微粒、高速粒子和其它污染物。”严蕊头疼道，“不然光源就会迅速恶化。还有，极紫外投影光刻系统使用了反射式掩模。”

    “我们的euv掩膜缺陷仍高达ldefect／cm2，检测机台的制造水平也要得到进一步提升。”

    “检测机台的问题，我想卢教授那边的团队应该能解决。”何星舟说道，“至于极紫外光源的问题，我想到了一个解决方案。”

    “什么方案？”这群院士和专家们都看着他。

    何星舟说道：“光源瓦数的提升，可以用电能！”

    “在高功率激光加热负载体形成等离子体并且多次反射后，形成了极紫外光源，这个时候，再设计一个放电反应室，让等离子体进一步转化，辐射出亮度更高，更纯净的极紫外线，如果还有多层反射镜，evu的纳米刻度会进一步提升，就有可能满足3纳米制